Innosilicon разогнала память LPDDR5X до 10 000 Мбит/с — это даст 80 Гбайт/с пропускной способности

Китайский производитель микросхем Innosilicon сообщил, что смог заставить чипы памяти LPDDR5X работать на впечатляющей скорости — 10 000 Мбит/с. Это на 17 % выше 8533 Мбит/с, которые являются максимальной частотой в утверждённой комитетом JEDEC спецификации для LPDDR5X. Кроме того, китайский производитель смог снизить задержки чипов памяти LPDDR5X.

Источник изображений: Innosilicon

 

Чипы памяти LPDDR5X в перспективе будут использоваться в составе мобильных устройств нового поколения. Различные производители в настоящий момент проводят их проверку. Не так давно, например, компания Qualcomm сообщила, что провела валидацию LPDDR5X DRAM производства компании Samsung для работы с будущими смартфонами на базе процессоров Snapdragon. Samsung анонсировала первые в отрасли 14-нанометровых 16-гигабитных чипов памяти стандарта LPDDR5X в ноябре прошлого года. На тот момент компания сообщила, что её чипы памяти смогут работать со скоростью до 8500 Мбит/с. Валидацию к настоящему моменту прошли микросхемы со скоростью до 7500 Мбит/с.

Похоже, что Innosilicon собирается выпустить на рынок ещё более скоростные микросхемы LPDDR5X-10000. Согласно спецификациям JEDEC, память стандарта LPDDR5X-8533 способна обеспечить пропускную способность до 68,2 Гбайт/с. А LPDDR5-6400 способна передавать до 51,2 Гбайт/с. В случае с чипами памяти LPDDR5X-10000 речь идёт о пропускной способности на уровне 80 Гбайт/с, что на 17 % выше максимального показателя, заявленного JEDEC для этого вида памяти, и на 56,2 % выше, чем у LPDDR5-6400.

Innosilicon также отмечает, что её удалось на 15 % снизить задержки в работе чипов LPDDR5X-10000. В сочетании с высокой скоростью передачи данных эти микросхемы предложат значительную прибавку в производительности для самых разных устройств — от 5G-смартфонов и гарнитур виртуальной реальности, до автомобильных систем автономного вождения.